GaAs Substratı
Tanım
Galyum Arsenit (GaAs), önemli ve olgun bir grup III-Ⅴ bileşik yarı iletkendir, optoelektronik ve mikroelektronik alanında yaygın olarak kullanılır.GaAs temel olarak iki kategoriye ayrılır: yarı yalıtımlı GaAs ve N-tipi GaAs.Yarı yalıtkan GaAs esas olarak radar, mikrodalga ve milimetre dalga iletişiminde, ultra yüksek hızlı bilgisayarlarda ve fiber optik iletişimde kullanılan MESFET, HEMT ve HBT yapılarına sahip entegre devreler yapmak için kullanılır.N-tipi GaAs esas olarak LD, LED, yakın kızılötesi lazerler, kuantum kuyusu yüksek güçlü lazerler ve yüksek verimli güneş pillerinde kullanılır.
Özellikler
| Kristal | katkılı | İletim Tipi | Akışların Konsantrasyonu cm-3 | Yoğunluk cm-2 | Büyüme Yöntemi |
| GaA'lar | Hiçbiri | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs Substrat Tanımı
GaAs substratı, galyum arsenit (GaAs) kristal malzemesinden yapılmış bir substratı ifade eder.GaAs, galyum (Ga) ve arsenik (As) elementlerinden oluşan bileşik bir yarı iletkendir.
GaAs substratları mükemmel özelliklerinden dolayı elektronik ve optoelektronik alanlarında sıklıkla kullanılır.GaAs substratlarının bazı temel özellikleri şunları içerir:
1. Yüksek elektron hareketliliği: GaAs, silikon (Si) gibi diğer yaygın yarı iletken malzemelerden daha yüksek elektron hareketliliğine sahiptir.Bu özellik, GaAs substratını yüksek frekanslı, yüksek güçlü elektronik ekipmanlar için uygun hale getirir.
2. Doğrudan bant aralığı: GaAs'ın doğrudan bant aralığı vardır; bu, elektronlar ve delikler yeniden birleştiğinde verimli ışık emisyonunun meydana gelebileceği anlamına gelir.Bu özellik, GaAs substratlarını ışık yayan diyotlar (LED'ler) ve lazerler gibi optoelektronik uygulamalar için ideal kılar.
3. Geniş Bant Aralığı: GaAs silikondan daha geniş bir bant aralığına sahiptir ve bu da onun daha yüksek sıcaklıklarda çalışmasına olanak sağlar.Bu özellik, GaAs tabanlı cihazların yüksek sıcaklıktaki ortamlarda daha verimli çalışmasına olanak tanır.
4. Düşük gürültü: GaAs substratları düşük gürültü seviyeleri sergiler, bu da onları düşük gürültülü amplifikatörler ve diğer hassas elektronik uygulamalar için uygun kılar.
GaAs substratları, yüksek hızlı transistörler, mikrodalga entegre devreler (IC'ler), fotovoltaik hücreler, foton dedektörleri ve güneş pilleri dahil olmak üzere elektronik ve optoelektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bu substratlar, Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD), Moleküler Işın Epitaksi (MBE) veya Sıvı Faz Epitaksi (LPE) gibi çeşitli teknikler kullanılarak hazırlanabilir.Kullanılan spesifik büyütme yöntemi, istenen uygulamaya ve GaAs substratının kalite gereksinimlerine bağlıdır.
