LaAlO3 Substratı
Tanım
LaAlO3Tek kristal, en önemli sanayileşmiş, büyük boyutlu, yüksek sıcaklıkta süper iletken ince film substrat tek kristal malzemesidir.Czochralski yöntemiyle büyütülmesi, çapı 2 inç ve daha büyük tek kristal ve alt tabaka elde edilebilmesi Yüksek sıcaklık süper iletken mikrodalga elektronik cihazlarının (yüksek sıcaklık süper iletken mikrodalga filtrelerinde uzun mesafeli iletişim gibi) üretimi için uygundur.
Özellikler
Kristal yapı | M6 (normal sıcaklık) | M3(>435°C) |
Birim Hücre Sabiti | M6 a=5,357A c=13,22 A | M3 a=3,821 A |
Erime Noktası (°C) | 2080 | |
Yoğunluk (g/cm)3) | 6.52 | |
Sertlik (Mho) | 6-6.5 | |
Termal Genleşme | 9,4x10-6/° | |
Dielektrik Sabitleri | ε=21 | |
Sekant Kaybı (10 GHz) | ~3×10-4@300k,~0,6×10-4@77k | |
Renk ve Görünüm | Tavlama ve koşullar kahverengiden kahverengiye kadar farklılık gösterir | |
Kimyasal stabilite | Oda sıcaklığı minerallerde çözünmez, çözünebilir h3po4'te sıcaklık 150 ° C'den yüksektir | |
Özellikler | Mikrodalga elektron cihazı için | |
Büyüme Yöntemi | Czochralski yöntemi | |
Boyut | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, | |
Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″ | ||
Kalınlık | 0,5 mm, 1,0 mm | |
Parlatma | Tek mi çift mi | |
Kristal Yönü | <100> <110> <111> | |
Yönlendirme Hassasiyeti | ±0,5° | |
Kenarı Yönlendir | 2°(1°'de özel) | |
Kristalin Açısı | Talep üzerine özel boyut ve yönlendirme mevcuttur | |
Ra | ≤5Å(5μm×5μm) | |
Ambalaj | 100 temiz torba, 1000 tam temiz torba |
Düşük Dielektrik Sabitinin Avantajı
Sinyal bozulmasını azaltın: Elektronik devrelerde ve iletişim sistemlerinde düşük dielektrik sabiti, sinyal bozulmasını en aza indirmeye yardımcı olur.Dielektrik malzemeler elektrik sinyallerinin yayılmasını etkileyerek sinyal kaybına ve gecikmeye neden olabilir.Düşük k malzemeleri bu etkileri azaltarak daha doğru sinyal iletimi sağlar ve genel sistem performansını artırır.
Yalıtım verimliliğini artırın: Dielektrik malzemeler genellikle iletken bileşenleri izole etmek ve sızıntıyı önlemek için yalıtkan olarak kullanılır.Düşük dielektrik sabiti malzemeler, bitişik iletkenler arasındaki elektrostatik bağlantıdan kaynaklanan enerji kaybını en aza indirerek etkili yalıtım sağlar.Bu, enerji verimliliğinin artmasına ve elektrik sisteminin güç tüketiminin azalmasına neden olur.